Die neuen 600V Super-Junction-MOSFETs von ROHM. Führend in der Klasse mit niedrigem ON-Widerstand und der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit für deutlich geringeren Stromverbrauch in Haushaltsgeräten und Industrieanlagen.    

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Die Fa. Hauber & Graf electronics erweitert Ihr Angebotsspektrum mit einem neuen Lieferanten im Bereich magnetische Komponenten und Relais.

Neuer Sensor für die Automation

Ein Stromsensor mit geteilter Aderstruktur ermöglicht die Installation des Messsystems an einem Stromkabel ohne Abklemmen und Wiederanschließen. Die einzigartige Technologie, die von LEM verwendet wird, beseitigt die Nachteile der Ungenauigkeit der Sensoren mit geteiltem Kern, die durch den unvollkommenen Kontakt zwischen den beiden Kernhälften entstehen. Die HTRS-Reihe deckt einen Bereich von 1A bis 100A AC und DC (max) ab. Nennstrom 10 - 30 - 50 A (IPmax = 2 mal Nennstrom) Kann mit Schrauben oder dem zusätzlichen Din-Rail-Anschluss montiert werden. Die DIN-Schiene ermöglicht verschiedene Ausrichtungen des Sensors, mit 90°-Schritten. Die Genauigkeit ist unabhängig von der Position des Stromleiters.

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Die Redaktion von ELEKTRONIKPRAXIS-Online hat einen Beitrag über folgende Themen veröffentlicht:

- Wärmemanagement: Thermisch kontaktieren

- Das sind die neuen TIMs für die Leistungselektronik

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Product-Catalog 2022 Power semiconducters

Die SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM tragen zu einer drastischen Verringerung der Systemgröße und des Stromverbrauchs in einer Vielzahl von Anwendungen bei - einschließlich Antriebsumrichtern für Elektrofahrzeuge und Schaltnetzteilen. Beispielsweise kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn der SiC-MOSFET der 4. Generation in den Antriebsumrichtern eingesetzt wird (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauchstest, einem internationalen Standard).

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Die neue Produktpalette an Wärmleitmaterialien von Aismalibar entdecken

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Die nächste Generation von phasen-gesteuerten Thyristoren und Gleichrichterdioden

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X4 - Class Series 

135V - 200V N-Kanal Ultra Junction Power MOSFETs mit HiPerFET™-Optionen

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Montage- und Kühllösungen für das SMPD-Gehäuse von IXYS

Das SMPD-Gehäuse bietet einzigartige Funktionen für leistungselektronische Anwendungen. Dazu gehören:

- Hohe elektrische Isolationsfestigkeit von 2.500V

- Geringerer thermischer Widerstand im Vergleich zu Standardgehäusen wie TO-247 oder TO-264

- Erhöhte Flexibilität bei Kundenspezifischen          Topologien

- Höhere Stromtragfähigkeite im Vergleich zu          TO-Gehäusen

- Reduzierte parasitäre Streuinduktivitäten- und      kapazitäten führen zu verbessertem                      EMI-Verhalten

All diese Eigenschaften machen das SMPD-Gehäuse zu einem hervorragenden Kandidaten für SI- und SiC-Leistungshalbleiter.

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Wir haben unser Portfolio durch die Einführung einer Familie von 1200-V-Leistungsmodulen erweitert. Beginnend mit einem 1200 V 2 x 900 A Modul, das ein verbessertes LoPak-Modulgehäuse verwendet, ergänzen die neuen Produkte die bestehende 1700 V Familie.

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Nach der erfolgreichen Markteinführung des 60Pak Diodenmoduls Anfang dieses Jahres, freuen wir uns, Ihnen mitteilen zu können, dass das 60Pak Thyristormodul nun das vierte Tor passiert hat.

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ist Hersteller von Leiterplatten. Seine Stärken liegen in der Eilfertigung von Prototypen und technologischen Herausforderungen im Bereich der Leistungselektronik.

Hauber & Graf electronics GmbH setzt weiter auf Wachstum und erweitert sein Portfolio um weitere 2 Lieferanten.

Mit Starpower erweitern wir unseren Bereich Leistungshalbleiter.

Starpower verfügt über ein großes Produktprogramm und kurze Lieferzeiten

Mit Aismalibar decken wir den Bereich "IMS Insulated metal substrate" ab, um eine möglichst hohe Wärmeableitung zu erzeugen.

Aismalibar zeichnet sich durch hohe technische Kompetenz und Innovationsfreudigkeit aus.

LSIC1MO170T0750   1.700 SiC-Mosfet mit nur 750 mOhm im TO-263-7L-Gehäuse

              Datenblatt LSIC1MO170T0750

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Neuer Fehlerstromsensor für Anwendungen zur Erfassung von 6mA Fehlerströmen (z.B. AC-Wallbox)

     CDSR 0,07-TP                    CDSR 0,07-NP

    2 Primärbügel                       4 Primärbügel

   Datenblatt hier ->                   Datenblatt hier ->

Neu bei Littelfuse :     

 TPSMB-Serie

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30.04.2021

  Hier das neue LoPaK Modul von HITACHI ABB

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24.02.2021

 Neuer Katalog Leistungswiderstände

   Download Katalog hier ->

Product-Catalog 2021 Power semiconducters

LEM ist Marktführer bei der Bereitstellung innovativer und qualitativ hochwertiger Lösungen für die Messung elektrischer Parameter. Seine Kernprodukte - Strom- und Spannungswandler - werden in einer breiten Palette von Anwendungen in den Bereichen Antriebe und Schweißen, erneuerbare Energien, USV, Stromversorgungen, Traktion, Hochpräzision, konventionelle und umweltfreundliche Autos eingesetzt.  

Im Moment bieten wir keine Seminare an