24.05.2022

ROHMs neue 600V Super-Junction-MOSFETs

Die neuen 600V Super-Junction-MOSFETs von ROHM. Führend in der Klasse mit niedrigem ON-Widerstand und der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit für deutlich geringeren Stromverbrauch in Haushaltsgeräten und Industrieanlagen.

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   Kurzdatenkatalog: hier ->

   Datenblätter:

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23.05.2022

Neuer Lieferant

Die Fa. Hauber & Graf electronics erweitert Ihr Angebotsspektrum mit einem neuen Lieferanten im Bereich magnetische Komponenten und Relais.

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06.05.2022

Neu bei LEM: die HTRS- Reihe

Neuer Sensor für die Automation

 

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Ein Stromsensor mit geteilter Aderstruktur ermöglicht die Installation des Messsystems an einem Stromkabel ohne Abklemmen und Wiederanschließen. Die einzigartige Technologie, die von LEM verwendet wird, beseitigt die Nachteile der Ungenauigkeit der Sensoren mit geteiltem Kern, die durch den unvollkommenen Kontakt zwischen den beiden Kernhälften entstehen. Die HTRS-Reihe deckt einen Bereich von 1A bis 100A AC und DC (max) ab. Nennstrom 10 - 30 - 50 A (IPmax = 2 mal Nennstrom) Kann mit Schrauben oder dem zusätzlichen Din-Rail-Anschluss montiert werden. Die DIN-Schiene ermöglicht verschiedene Ausrichtungen des Sensors, mit 90°-Schritten. Die Genauigkeit ist unabhängig von der Position des Stromleiters.

 

Nähere Info´s finden Sie im Datenblatt hier->

 

02.05.2022  Das RoadPak von Hitachi Energy bietet hervorragende Lastwechsel-Fähigkeiten für die Elektromobilität

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Nähere Informationen finden Sie hier ->

 

31.03.2022

AISMALIBAR

Die Redaktion von ELEKTRONIKPRAXIS-Online hat einen Beitrag über folgende Themen veröffentlicht:

 - Wärmemanagement: Thermisch kontaktieren

 - Das sind die neuen TIMs für die Leistungselektronik

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29.03.2022

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Product-Catalog 2022 Power semiconducters

 

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01.03.2022

ROHMs SiC-Mosfet der 4. Generation

Die SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM tragen zu einer drastischen Verringerung der Systemgröße und des Stromverbrauchs in einer Vielzahl von Anwendungen bei - einschließlich Antriebsumrichtern für Elektrofahrzeuge und Schaltnetzteilen. Beispielsweise kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn der SiC-MOSFET der 4. Generation in den Antriebsumrichtern eingesetzt wird (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauchstest, einem internationalen Standard).

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               SiC Application Note    hier klicken                     Videoanimation  hier klicken

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09.02.2022

ROHM´s New Compact Surface Mount 45W Output AC/DC Converter ICs: Equipped with Intergrated High Voltage SJ MOSFET

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    Weitere Informationen finden Sie hier ->

 

18.11.2021 Aismalibar

Neue Produktpalette an Wärmeleitmaterialien von Aismalibar entdecken.

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Aismalibar hat eine Familie von Wärmeleitmaterialien (Thermal Interface Materials, TIMs) für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungsbereichen entwickelt. 

Die dielektrische Anforderung an ein TIM wird durch das elektronische Gerät, seine Betriebsspannung und die geltenden Vorschriften zur Erdisolierung bestimmt. Aismalibar hat darüber hinaus eine Reihe von anwendbaren Oberflächen auf unseren TIMs entwickelt, die sich darin unterscheiden, ob sie selbstklebend sein müssen oder nicht. Beide Oberflächen dienen wiederum dazu, die zwischen den Oberflächen der TIMs und den Kühlkörpern oder elektronischen Bauteilen vorhandenen Lufthohlräume zu reduzieren.

Die neuen, von Aismalibar entwickelten TIMS, leiten die Wärme aus den elektronischen Bauteilen ab und verbessern deren Ableitung. Ein sauberes, schnelles und effizientes thermisches Schnittstellenmaterial, das zur Lösung von Schnittstellen zwischen MPCB / Power Components und Kühlkörpern verwendet wird und die dielektrische Isolierung und schnelle Wärmeübertragung verbessert.

 

Weitere Informationen finden Sie hier ->

 

18.11.2021

Hitachi Energy

Die nächste Generation von phasen-gesteuerten Thyristoren und Gleichrichterdioden.


Hitachi next generation.png 

   Datenblätter:

   5SDD 57N6500_5SYA

   5SDD 75Y8500_5SYA 

   5STP 16F2810

   5STP 18F1810

   5STP 40N6500_5SYA1086

 

 

 

 

 

Weitere Informationen hier ->

 

 

31.08.2021

Littelfuse

X4-Class Series - 135V - 200V N-Kanal Ultra Junction Power MOSFETs mit HiPerFET™-Optionen

  Neue Ultra Junction MosFets höhere Auflösung.JPG

Diese Bauelemente wurden unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt. Das Ergebnis sind Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand RDS(on) und Gate-Ladung Qg. Ein niedriger Widerstand im Ein-Zustand reduziert die Leitungsverluste; er verringert auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie und minimiert so die Schaltverluste. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Gate-Ansteuerungsanforderungen. Darüber hinaus sind diese MOSFETs avalanche-tauglich und weisen eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten ihres Durchlasswiderstands können sie auch parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen.

Merkmale:

Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
dv/dt-Robustheit
Avalanche-Fähigkeit
Internationale Standardgehäuse

Anwendungen:

Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
Stromversorgungen
Motorsteuerung (48V-80V-Systeme)
DC-DC-Wandler
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Elektrische Gabelstapler
Class-D-Audio-Verstärker
Telekommunikationssysteme

 

Weitere Informationen hier ->

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