RoadPak

SiC MOSFET

5SFG 1150B121001

RoadPak SiC phase leg module 1200 V, 1150 A*

• VDSS = 1200 V
• ID = 2 x 1150 A*
• Molded package optimized for e-Mobility application
• Pin-fin structure for lowest thermal resistance
• Lowest losses thanks to Silicon Carbide chip set
• Main terminals with holes for screw connection or without holes for welding

Das RoadPak ist unsere neueste innovative Lösung für alle Anwendungen der Elektromobilität. Dank der neuesten Generation von SiC-MOSFET-Chipsätzen und der verbesserten Flüssigkeitskühlung durch die Pin-Fin-Grundplatte ermöglicht es die Konstruktion von Wandlern mit niedrigster Gesamtstreuinduktivität. Darüber hinaus ermöglicht das RoadPak sehr einfache niederinduktive Verbindungen, sodass die Stromleistung der Wechselrichter mit nur einem Modultyp erhöht werden kann. Dies ermöglicht den Einsatz von RoadPak in einem klar definierten Wandler-Portfolio, das auf verschiedenen Leistungsklassen basiert. RoadPak-Anwendungen sind unter anderem:

• Hauptantriebsstrang für xEVs
• E-Trucks, E-Busse
• Traktionshilfsstromrichter sowie Leistungselektronik zum xEV-Laden

Aufbauend auf unserer Erfahrung mit leistungsstarken, hochzuverlässigen Geräten für Spannungen von 3.300 V und darüber haben wir unser Portfolio durch die Einführung einer Familie von 1.200-V-Leistungsmodulen erweitert. Beginnend mit einem 1.200 V 2 x 900 A Modul, das ein verbessertes LoPak-Modulgehäuse verwendet, ergänzen die neuen Produkte die bestehende 1.700 V Familie.

Diese neuen Module verfügen über Chips der nächsten Generation der extrem verlustarmen, robusten Trench-IGBT-Technologie sowie entsprechend optimierten Dioden.

Neben der standardmäßigen Verwendung einer Kupfer (Cu)-Grundplatte, Press-Fit-Pins für die Steueranschlüsse und ab Werk aufgebrachtem Thermal Interface Material (TIM) auf der Grundplatte, umfasst das verbesserte LoPak-Gehäuse:

• Ein neues Cu-Lay-Out auf dem DBC-Substrat zur Optimierung der Chip-Positionen, zur Minimierung der Temperaturwechselwirkungen sowie einerseits geringsten Streuinduktivitäten und -kapazitäten, als auch ohmschen Widerstand der Leiterbahnen bei gleichzeitiger Optimierung der Stromaufteilung zwischen den IGBT- und Diodenpaaren.
• Verwendung von Cu-Bonddraht für die DBC/DBC- und DBC/Leistungsanschlüsse sowie eine erhöhte Anzahl von Bonddrähten.

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Informationen und Downloads

Brückengleichrichter, Dioden- und Thyristormodule, Wechselstromsteller,
IGBT- und MOSFET-Module für höhere Leistungen

Die Starpower Europe AG mit Sitz in der Schweiz, Cadenazzo, wurde im Mai 2014 als europäische Niederlassung des chinesischen Herstellers von Leistungsmodulen StarPower Semiconductor Ltd. gegründet.

StarPower ist ein erfolgreiches, dynamisch wachsendes Unternehmen auf dem Gebiet der Leistungselektronik.